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(原标题:卖4亿的光刻机,DRAM大厂推迟引进) 若是您但愿不错经常碰头,迎接标星保藏哦~ 开始:实质来自 Source:编译自thebell 三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”招引。这是由于天文数字般的招引价钱和 DRAM 架构行将发生的变化。 三星电子和SK海力士谋划在2030年后量产3D DRAM,3D DRAM曝光工艺谋划取舍氟化氩(ArF)招引,而非EUV招引。因此,High NA EUV招引的引入例
(原标题:下一代光刻机,台积电不雅望) 要是您但愿不错不息碰头,迎接标星保藏哦~ 开头:本色编译自wccftech ,谢谢 。 在半导体新元素的接纳方面,台积电多年来一直是前驱,并通常引颈潮水。但咫尺,该公司似乎将烧毁在其 A14 工艺中使用高数值孔径 EUV 光刻设立,而是接纳更传统的 0.33 数值孔径 EUV 技巧。这一音信是在数值孔径技巧辩论会上清楚的,台积电高档副总裁Kevin Zhang在会上书记了这一表现。由此不错详情地说,英特尔代工场和几家 DRAM 制造商咫尺在“技巧”上比台