（原标题：卖4亿的光刻机，DRAM大厂推迟引进）

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三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”招引。这是由于天文数字般的招引价钱和 DRAM 架构行将发生的变化。

三星电子和SK海力士谋划在2030年后量产3D DRAM，3D DRAM曝光工艺谋划取舍氟化氩（ArF）招引，而非EUV招引。因此，High NA EUV招引的引入例必会给芯片制造商带来包袱。

据业界15日露出，三星电子将抢先将HighNA EUV招引应用于晶圆代工。据悉，在DRAM工艺方面，他们正在商量是否将其应用于10nm第7代DRAM（1d DRAM），玩忽用于量产垂直沟说念晶体管（VCT）DRAM。

内存公司对引入High NA EUV捏保守魄力的原因在于将来的DRAM发展蹊径图。证据三星电子和SK海力士的DRAM蹊径图，内存架构将按照以下限定变化：6F方形DRAM→4F方形DRAM→3D DRAM。

在此3D DRAM曝光工艺中，无需使用High NA EUV招引或低NA EUV招引。 3D DRAM 是一种像 NAND 相似垂直堆叠 DRAM 单位的内存想法。现存的DRAM是通过邃密工艺来增多晶体管的数目，而3D DRAM则是通过垂直堆叠来扩大晶体管的数目。因此，曝光经过中使用的是 ArF 招引，而不是 EUV 招引。

这意味着，即使引进价值提高4亿好意思元的最新招引，其用于量产顶端DRAM的时期也不会太长。不外，两家公司谋划在 2020 年代末量产的 4F 方形 DRAM 似乎将取舍高 NA EUV 招引。这种存储器的量产需要 EUV 工艺，三星电子称之为 VCT DRAM，SK 海力士称之为垂直栅极 (VG) DRAM。

SK海力士在High NA EUV的引入上也与三星电子采用了雷同的态度。尤其是，据悉SK海力士在招引引进方面比三星电子愈加严慎，因为惟有在内存工艺方面才必须使用High NA EUV招引。

一位闇练三星电子下一代DRAM开发的里面东说念主士暗示，合约交易“据咱们了解，三星电子已将3D DRAM开发完成日历从2030年推迟到2032-2033年”，并补充说念，“由于3D DRAM具有全新的结构，因此关连的生态系统尚未成立。”他补充说念，“现存的垂直千里积和蚀刻必须调解为水平，这是一个很大的本领难度”，“由于材料具有各向同性的特色，因此阻截易抛弃”。

High NA EUV招引将最初在晶圆代工工艺中得到诈欺。不外，High NA EUV应用于量产瞻望还需要一段时期。 ASML瞻望High NA EUV招引要到2027年以后才会参加量产。

现在，依然从ASML获取High NA EUV招引的三家晶圆代工场分袂是英特尔、台积电和三星电子。通盘这些招引王人用于研发，而不是量产。

依然阐明，三星电子正在开发一种工艺，其前提是代工 1.4nm 工艺将使用高 NA EUV 招引。三星电子的指标是在2027年竣事1.4nm工艺的量产。因此，三星电子现在在NRD-K建树的High NA EUV招引“EXE:5000”也将主要用于研发宗旨。

台积电正在尽可能推迟使用High NA EUV招引。在最近的一次手脚中，该公司晓谕谋划从滋生工艺 A14P 工艺运转使用High NA EUV 招引，而不是 A14（1.4 nm）。这与High NA EUV招引的价钱不无关系。

https://www.thebell.co.kr/free/content/ArticleView.asp?key=202505151002225960108326

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